Track: By me composed! Xe-xe.. :)
Author: Macros, 14 July 2K1.
-----------------------------------------
FLASH-ПЗУ
DIP-32 TSOP-32
+-+----+ +-+---+
Vpp+1 32+Vcc A11+1 32+OE#
*A16+ +WE# A9+ +A10
*A15+ +PR#* A8+ +CE#
A12+ +A14 A13+ +DQ7
A7+ +A13 A14+ +DQб
A6+ +A8 PR#+ +DQS
A5+ +A9 WE#+ +DQЧ
A4+ +A11 Vcc+ +DQЗ
A3+ +OE# Vpp+ +GND
A2+ +A10 *A16+ +DQ2
A1+ +CE# *A15+ +DQ1
A0+ +DQ7 A12+ +DQO
DQO+ +DQб A7+ +A0
DQ1+ +DQS A6+ +A1
DQ2+ +DQЧ A5+ +A2
GND+16 17+DQЗ A4+16 17+A3
+------+ +-----+
PLCC-32
A12 A15* A16* Vpp Vcc WE# PR#*
-+---+----+----+---+---+---++
/ 4 3 2 1 32 21 30|
A7+5 29+A14
| o |
A6+ +A13
| |
A5+ +A8
| |
A4+ +A9
| |
A3+ +A11
| |
A2+ +OE#
| |
A1+ +A10
| |
A0+ +CE#
|13 21|
DQO+ 14 20 +DQ7
+--+---+---+---+---+---+---+--+
DQ1 DQ2 GND DQЗ DQЧ DQS DQб
TSOP-32 TSOP-40
+-+---+ +-+---+
A11+1 32+OE# A16+1 40+A17
A9+ +A10 A15+ +GND
A8+ +CE# A14+ +NC
A13+ +DQ7 A13+ +A19*
A14+ +DQб A12+ +A10
PR#+ +DQS A11+ +DQ7
WE#+ +DQЧ A9+ +DQб
Vcc+ +DQЗ A8+ +DQS
Vpp+ +GND WE#+ +DQЧ
*A16+ +DQ2 PR#+ +Vcc
*A15+ +DQ1 Vpp+ +Vcc
A12+ +DQO *WP#+ +NC
A7+ +A0 *A18+ +DQЗ
A6+ +A1 A7+ +DQ2
A5+ +A2 A6+ +DQ1
A4+16 17+A3 A5+ +DQO
+-----+ A4+ +OE#
A3+ +GND
A2+ +CE#
A1+20 21+A0
+-----+
TSOP-44 TSOP-48
+-+---+ +-+---+
Vpp+1 44+PR# A15+1 48+A16
WP/*A18+ +WE# A14+ +BYTE#
*A17+ +A8 A13+ +GND
A7+ +A9 A12+ DQ15/A-1
A6+ +A10 A11+ +DQ7
A5+ +A11 A10+ +DQ14
A4+ +A12 A9+ +DQб
A3+ +A13 A8+ +DQ13
A2+ +A14 NC+ +DQS
A1+ +A15 NC+ +DQ12
A0+ +A16 WE#+ +DQЧ
CE#+ +BYTE# RP#+ +Vcc
GND+ +GND Vpp+ +DQ11
OE#+ +DQ15/A-1 WP#+ +DQЗ
DQO+ +DQ7 NC+ +DQ10
DQ8+ +DQ14 *A18+ +DQ2
DQ1+ +DQб *A17+ +DQ9
DQ9+ +DQ13 A7+ +DQ1
DQ2+ +DQS A6+ +DQ8
DQ10+ +DQ12 A5+ +DQO
DQЗ+ +DQЧ A4+ +OE#
DQ11+22 23+Vcc A3+ +GND
+-----+ A2+ +CE#
A1+24 25+A0
+-----+
TSOP-56
+-+---+
NC+1 56+NC
NC+ +A16
A15+ +BYTE#
A14+ +GND
A13+ +DQ15/A-1
A12+ +DQ7
A11+ +DQ14
A10+ +DQб
A9+ +DQ13
A8+ +DQS
NC+ +DQ12
NC+ +DQЧ
WE#+ +Vcc
RP#+ +Vcc
NC+ +DQ11
NC+ +DQЗ
Vpp+ +DQ10
WP#+ +DQ2
*A18+ +DQ9
*A17+ +DQ1
A7+ +DQ8
A6+ +DQO
A5+ +OE#
A4+ +GND
A3+ +CE#
A2+ +A0
A1+ +NC
NC+28 29+NC
+-----+
+========+----------+-------+----------+
|м/сх |орг-ция* |корпус |примечание|
+========+----------+-------+----------+
|28F256 |32K*8 BE |DIP-32 |2,3,30=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F256 |32K*8 BE |PLC-32 |2,3,30=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F512 |64K*8 BE |DIP-32 |2,30=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F512 |64K*8 BE |PLCC-32|2,30=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F010 |128K*8 BE |DIP-32 |30=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F010 |128K*8 BE |PLCC-32|30=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F010 |128K*8 BE |TSOP-32|6=NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F001 |128K** BB |DIP-32 |- |
+--------+----------+-------+----------+
|28F001 |128K*8 BB |PLCC-32|- |
+--------+----------+-------+----------+
|28F001 |128K*8 BB |TSOP-32|- |
+--------+----------+-------+----------+
|29EEO10 |128K*8 SA |DIP-32 |1,30=NC |
|29F010 | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|29EEO10 |128K*8 SA |PLCC-32|1,30=NC |
|29F010 | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|29EEO10 |128K*8 SA |TSOP-32|6,9=NC |
|29F010 | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F020 |256K*8 BE |DIP-32 |30=A17 |
+--------+----------+-------+----------+
|28F020 |256K*8 BE |PLCC-32|30=A17 |
+--------+----------+-------+----------+
|28F020 |256K*8 BE |TSOP-32|6=A17 |
+--------+----------+-------+----------+
|28F002BC|256K*8 BB |TSOP-40|12,13,45= |
|/BN/BL | | |NC |
+--------+----------+-------+----------+
|28F002BE|256K*8 BB |TSOP-40|13,45=NC |
|/BV | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F0OЧBX|512K*8 BB |TSOP-40|12,45=NC |
|/BN/BL | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F0OЧBE|512K*8 BB |TSOP-40|45=NC |
|/BV | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F008BE|1024K*8 BB|TSOP-40|- |
|/BV | | | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F200 |256K*8 |TSOP-44|2=WP#;3=NC|
| |128K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F200 |256K*8 |TSOP-48|16,17=NC |
| |128K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F200 |256K*8 |TSOP-56|19,20=NC |
| |128K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F400 |512K*8 |TSOP-44|2=WP# |
| |256K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F400 |512K*8 |TSOP-48|16=NC |
| |256K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F400 |512K*8 |TSOP-56|19=NC |
| |256K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F800 |1024K*8 |TSOP-44|2=A18 |
| |512K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F800 |1024K*8 |TSOP-48|- |
| |512K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|28F800 |1024K*8 |TSOP-56|- |
| |512K*16 BB| | |
+--------+----------+-------+----------+
|29F200 |256K*8 |TSOP-44|1,3=NC |
|29LV200 |128K*16 BB| |2=RY/BY# |
+--------+----------+-------+----------+
|29F200 |256K*8 |TSOP-48|13,14=NC |
|29LV200 |128K*16 BB| |16,17=NC |
| | | |15=RY/BY# |
+--------+----------+-------+----------+
|29F400 |512K*8 |TSOP-44|1=NC |
|29LVЧO0 |256K*16 BB| |2=RY/BY# |
+--------+----------+-------+----------+
|29F400 |512K*8 |TSOP-48|13,14,16= |
| | | |NC |
|29LVЧO0 |256K*16 BB| |15=RY/BY# |
+--------+----------+-------+----------+
|29F800 |1024K*8 |TSOP-44|1=RY/BY# |
|29LV800 |512K*16 BB| |2=A18 |
+--------+----------+-------+----------+
|29F800 |1024K*8 |TSOP-48|13,14=NC |
|29LV800 |512K*16 BB| |15=RY/BY# |
+========+----------+-------+----------+
*BE - Bulk Erase (стираемые целиком)
BB - Boot Block (несимметричные блоки)
SA - Symetric Architecture (сим.блоки)
+==========+---------------------------+
|CE# |Выборка микросхемы. |
+----------+---------------------------+
|OE# |Разрешение выходных буферов|
| |Низкий уровень при низком |
| |уровне CE# разрешает чтение|
| |данных из микросхемы. |
+----------+---------------------------+
|WE# |Разрешение записи. |
| |Низкий уровень при низком |
| |уровне CE# разрешает запись|
| |и переводит выходные буферы|
| |в высокоимпедансное состоя-|
| |ние независимо от сигнала |
| |OE#. |
+----------+---------------------------+
|DQx |Двунаправленные линии шины |
| |даных. |
+----------+---------------------------+
|BYTE# |Управляющий сигнал для вы- |
| |бора режима обращения к |
| |микросхемам с 8/16-битной |
| |организацией. Они имеют |
| |два 8-битных банка и их |
| |ячейки памяти адресуются |
| |16-битными словами. Низкий |
| |уровень сигнала BYTE# зада-|
| |ет 8-битный режим обмена по|
| |линиям DQO-DQ7, при этом |
| |линия DQ15/A-1 становится |
| |самой младшей линией адре- |
| |са, переключающей банки, а |
| |линии DQ8-DQ14 переходят в |
| |высокоимпедансное состояние|
+----------+---------------------------+
|Ax |Входные линии шины адреса. |
| |Линия A9 допускает подачу |
| |12 В для чтения кода произ-|
| |водителя (A0=0) и устрой- |
| |ства (A0=1), при этом на |
| |остальные адресные линии |
| |подается логический "0". |
+----------+---------------------------+
|RP# (PWD#)|Низкий уровень сбрасывает |
| |регистр команд и переводит |
| |микросхему в режим Deep |
| |Powerdown с минимальным |
| |потреблением питания. Пере-|
| |вод сигнала в высокий логи-|
| |чесий уровень "пробуждает" |
| |микросхему, после чего она |
| |переходит в режим чтения |
| |данных. Подача высокого |
| |(12 В) напряжения разрешает|
| |программирование даже |
| |защищенного Boot-блока. |
+----------+---------------------------+
|WP# |Защита записи. При низком |
| |уровне WP# модификация |
| |Boot-блока или других бло- |
| |ков с установленным битом |
| |защиты возможна только при |
| |наличии 12 В на входе RP#. |
| |При высоком уровне защита |
| |блоков игнорируется. |
+----------+---------------------------+
|RY/BY# |Сигнал готовности (высокий |
| |уровень) микросхемы к |
| |очередной операции |
| |программирования или |
| |стирания. Низкий уровень |
| |показывает занятость |
| |управляющего автомата вы- |
| |полнением операции сти- |
| |рания или программирова- |
| |ния. Выход обычно не |
| |управляется сигналами OE# |
| |и CE#. В м/сх 28F01бSA и |
| |старше выход имеет тип |
| |"открытый коллектор", |
| |запираемый по команде, и |
| |программируемое назначение.|
+----------+---------------------------+
|3/5# |Сигнал, переключающий |
| |режим работы м/сх в зави- |
| |симости от питающего напря-|
| |жения, введен для оптими- |
| |зации быстродействия или |
| |потребления. |
+==========+---------------------------+
FLASH-память фирмы Intel
По организации массива различают мик-
росхемы:
- Bulk Erase - стирание возможно только
для всего объема.
- Boot Block - массив разделен на нес-
колько блоков разного размера, стираемых
независимо. Один из блоков имеет допол-
нительные аппаратные средства защиты от
стирания и записи.
- Flash File - массив разделе на нес-
колько равноправных независимо стираемых
блоков обычно одинакового размера, что
позволяет их называть микросхемами с
симметричной архитектурой SA.
Flash-память первого поколения
Микросхемы первого поколения (28F256,
28F512, 28F010, 28F020) имеют одно-
байтную организацию (32K, 64K, 128K и
256K*8) и представляют собой единый мас-
сив памяти, стираемый целиком и програм-
мируемый побайтно. Время доступа указы-
вается в конце обозначения (например,
28F010-65) и лежит в диапазоне 65-200 нс.
Микросхемы первых выпусков (1990г) имели
гарантированное число циклов сти- рания
-программирования 10 000, совре- менные -
100 000.
Стирание и программирование флэш-памяти
возможны только при подаче на вход Vpp
напряжения 12 В по командам, записывае-
мым во внутренний регистр в шинном цикле
записи по сигналу WE#.
Выполнение команд инициируется записью
их кодов во внутренний регистр, не имею-
щий конкретного адреса.
+========+------+----------+-----------+
|Команда |Число |1-ый цикл | 2-й цикл|
| |циклов|шины | шины |
| |шины +---+--+---+---+----+--+
| | |R/W|A |D |R/W|A |D |
+--------+-----++--++-++--++--++---++--+
|Read | | | | | | | |
|Memory | 1 |W |X |00h|- |- |- |
+--------+-----+---+--+---+---+----+---+
|Read ID | 3 |W |X |90h|R |0(1)|Id |
+--------+-----+---+--+---+---+----+---+
|Set-up | 2 |W |X |20h|W |X |20h|
|Erase/ | | | | | | | |
|Erase | | | | | | | |
+--------+-----+---+--+---+---+----+---+
|Erase | 2 |W |EA|AOh|R |X |EVD|
|Verify | | | | | | | |
+--------+-----+---+--+---+---+----+---+
|Set-up | 2 |W |X |40h|W |PA |PD |
|Program/| | | | | | | |
|Program | | | | | | | |
+--------+-----+---+--+---+---+----+---+
|Program | 2 |W |X |COh|R |X |PVD|
|Verify | | | | | | | |
+--------+-----+---+--+---+---+----+---+
|Reset | 2 |W |X |FFh|W |X |FFh|
+========+-----+---+--+---+---+----+---+
Здесь X обозначает несущественный ад-
рес, ID - идентификатор производителя или
устройства, EA - адрес ячейки, в ко-
торой контроллируется стирание, EVD -
данный, считанные при верификации сыира-
ния (должны быть FFh), PA и PD - адрес и
данные программируемой ячейки, PVD -
данные, считанные при верификации прог-
раммирования.
Назначение команд: Read Memory -
команда чтения данных, пе- реводящая
микросхему в режим чтения, совместимый по
интерфейсу с EPROM.
Read ID - команда чтения идентификато-
ров. В последующих шинных циклах чтения
по адресу 0 считывается M_Id (идентифи-
катор производителя, 89h), по адресу 1 -
D_Id (идентификатор устройства, для мик-
росхем 28F256, 28F512, 28F010, 28F020 это
B9h, B8h, BЧh и BDh соответственно).
Set-up Erase/Erase - подготовка и
собственно стирание. Внутренний цикл
стирания начинается по подъему сигнала
WE# во втором шинном цикле и завершается
по последующему шинному циклу записи или
по внутреннему таймеру (Stop Timer).
Erase Verify - верификация стирания. В
отличие от Read Memory, проверяемая
ячейка ставится в более жесткие условия
считывания для повышения достоверности
контроля стирания.
Set-up Program/Program - подготовка и
собственно программирование. Команда вы-
полняется аналогично стиранию, но во
втором шинном цикле передается адрес и
данные программируемой ячейки.
Program verify - верификация программи-
рования (аналогично верификации стира-
ния)
Reset - команда сброса, прерывающая ко-
манду программирования или стирания.
Other articles:
