Track: By me composed! Xe-xe.. :)
Author: Macros, 14 July 2K1.
-----------------------------------------
Микросхемы динамической памяти.
-------------------------------
Расположение выводов у однобитных мик-
росхем DRAM (*A10 у микросхем 1M*1 не
используется)
DIP-16 SOJ-26/20
256K*1 1M*1;4M*1
+-+---+ +-+----+
A8+1 16+Vss Din+1 26+Vss
Din+ +CAS# WE#+------+Dout
WE#+ +Dout RAS#+ +CAS#
RAS#+ +A6 NC+ +NC
A0+ +A3 *A10+5 22+A9
A2+ +A4 | |
A1+ +A5 | |
Vcc+8 9+A7 A0+9 18+A8
+-----+ A1+ +A7
A2+ +A6
A3+ +A5
Vcc+13 14+A4
+------+
DIP-18 ZIP-20
1M*1 1M*1
4M*1 4M*1
+-+----+ /
Din+1 18+Vss A9 1|-|_|2 CAS#
WE#+ +Dout Dout 3|-|_|4 Vss
RAS#+ +CAS# Din 5|-|_|6 WE#
*A10+ +A9 RAS# 6|-|_|8 *A10
A0+ +A8 NC 9|-|_|10 NC
A1+ +A7 A0 11|-|_|12 A1
A2+ +A6 A2 13|-|_|14 A3
A3+ +A5 Vcc 15|-|_|16 A4
Vcc+9 10+A4 A5 17|-|_|18 A6
+------+ A7 19|-|_|20 A8
/
Расположение выводов четырехбитных мик-
росхем DRAM (*A9 у микросхем 256К*4 не
используется)
DIP-18 SOJ26/20
64K*1 256K*4
1M*4
+-+---+ +-+---+
OE#+1 18+Vss DQ1+1 26+Vss
DQ1+ +DQЧ DQ2+-----+DQЧ
DQ2+ +CAS# WE#+ +DQЗ
WE#+ +DQЗ RAS#+ +CAS#
RAS#+ +A0 *A9+5 22+OE#
A6+ +A1 | |
A5+ +A2 | |
A4+ +A3 A0+9 18+A8
Vcc+9 10+A7 A1+ +A7
+-----+ A2+ +A6
A3+ +A5
Vcc+13 14+A4
+-----+
DIP-20
256K*4 ZIP20
1M*4 256k*4
1M*4
+-+---+
DQ1+1 20+Vss /
DQ2| +DQЧ OE# 1|-|_|2 CAS#
WE#+ +DQЗ DQЗ 3|-|_|4 DQЧ
RAS#+ +CAS# Vss 5|-|_|6 DQ1
*A9+ +OE# DQ2 7|-|_|8 WE#
A0+ +A8 RAS# 9|-|_|10 *A9
A1+ +A7 A0 11|-|_|12 A1
A2+ +A6 A2 13|-|_|14 A3
A3+ +A5 Vcc 15|-|_|16 A4
Vcc+10 11+A4 A5 17|-|_|18 A6
+-----+ A7 19|-|_|20 A8
/
Расположение выводов двухбайтных мик-
росхем DRAM
SOJ-4OOmil
256K*16
256K*18
+-+-----+
Vcc+1 40+Vss
DQ1+ +DQ16
DQ2+ +DQ15
DQЗ+ +DQ14
DQЧ+ +DQ13
Vcc+ +Vss
DQS+ +DQ12
DQб+ +DQ11
DQ7+ +DQ10
DQ8+ +DQ9
DQO+ +P11
NC+ +CASL#
WE#+ +CASH#
RAS#+ +OE#
NC+ +A8
A0+ +A7
A1+ +A6
A2+ +A5
A3+ +A4
Vcc+20 21+Vss
+-------+
+=======+==============================+
|Сигнал | Назначение |
+=======+==============================+
|RAS# | Row Access Strobe |
| | Строб выборки адреса строки. |
| | По спаду сигнала начинается |
| | любой цикл обращения, низкий |
| | уровень сохраняется на все |
| | время цикла. |
+-------+------------------------------+
|CAS# | Column Access Strobe |
| | Строб выборки адреса столбца.|
| | По спаду начинается цикл за- |
| | писи или чтения. |
+-------+------------------------------+
|MAi | Multiplexed Address |
| | Мультиплексированные линии |
| | адреса. Во время спада сиг- |
| | нала RAS# на этих линиях при-|
| | сутствует адрес строки, во |
| | время спада CAS# - адрес |
| | столбца. |
+-------+------------------------------+
|WE# | Write Enable |
| | Разрешение записи. Даные за- |
| | писываются в выбранную ячейку|
| | по спаду CAS# при низком |
| | уровне WE# (Ранняя запись, |
| | обычный вариант), либо по |
| | спаду WE# при низком уровне |
| | CAS# (Задержанная запись). |
| | Переход WE# в низкий уровень |
| | и обратно при высоком CAS# |
| | записи не вызывает, а только |
| | переводит выходной буфер EDO |
| | DRAM в высокоимпедансное |
| | состояние. |
+-------+------------------------------+
|OE# | Output Enable |
| | Разрешение открытия выходного|
| | буфера при операции чтения. |
| | Высокий уровень сигнала в лю-|
| | бой момент переводит выходной|
| | буфер в высокоимпедансное |
| | состояние. |
+-------+------------------------------+
|DB-In | Data Bit Input |
| | Входные данные (только для |
| | микросхем с однобитной орга- |
| | низацией) |
+-------+------------------------------+
|DB-Out | Data Bit Output |
| | Выходные данные (только для |
| | микросхем с однобитной орга- |
| | низацией). Выходные буферы |
| | стандартных микросхем открыты|
| | только при сочетании низкого |
| | уровня сигналов RAS#, CAS#, |
| | OE# и высокого уровня WE#; |
| | при невыполнении любого из |
| | этих условий будеры переходят|
| | в высокоимпедансное состоя- |
| | ние. У микросхем EDO выходные|
| | буферы открыты и после подъе-|
| | ма сигнала CAS#. |
+-------+------------------------------+
|DQx | Data Bit |
| | Объединенные внутри микро- |
| | схем входные и выходные сиг- |
| | налы данных. |
+-------+------------------------------+
|NC | No Connection |
| | Свободный вывод. |
+=======+==============================+
Микросхемы статической памяти
DIP-28
8K*8 (выв.1,26 не исп)
16K*8 (выв. 1 не исп)
+-+----+ DIP-32
*A14+1 28+Vcc 64K*8 (выв. 2 не исп)
A12+ +WE# 128K*6
A7+ +A13*
A6+ +A8 +-+----+
A5+ +A9 NC+1 32+Vcc
A4+ +A11 *A16+ +A15*
A3+ +OE# A14+ +CE2*
A2+ +A10 A12+ +WE#
A1+ +CE# A7+ +A13
A0+ +DQ7 A6+ +A8
DQO+ +DQб A5+ +A9
DQ1+ +DQS A4+ +A11
DQ2+ +DQЧ A3+ +OE#
GND+14 15+DQЗ A2+ +A10
+------+ A1+ +CE1#
A0+ +DQ7
DQO+ +DQб
DQ1+ +DQS
DQ2+ +DQЧ
GND+16 17+DQЗ
+------+
Модули динамической памяти SIMM-30
+-----------------------------+
| +-----+ +-----+ +-----+ |
| | | | | | | |
| | | | | | | |
|o +-----+ +-----+ +-----+ o|
++ |
| 1 ||||||||||||||||||||| 30 |
+----------------------------+
Назначение выводов модулей SIP и SIMM
STD - стандартный SIMM (SIPP)
IBM - SIMM фирмы IBM
+-------+------------+------------+
|Контакт| STD | IBM |
+-------+------------+------------+
| 1 | +5В | +5В |
| 2 | CAS# | CAS# |
| 3 | DQO | DQO |
| 4 | MAO | MAO |
| 5 | MA1 | MA1 |
| 6 | DQ1 | DQ1 |
| 7 | MA2 | MA2 |
| 8 | МАЗ | МАЗ |
| 9 | GND | GND |
| 10 | DQ2 | DQ2 |
| 11 | МАЧ | МАЧ |
| 12 | MAS | MAS |
| 13 | DQЗ | DQЗ |
| 14 | MAб | MAб |
| 15 | MA7 | MA7 |
| 16 | DQЧ | DQЧ |
| 17 | MA8 | MA8 |
| 18 | MA9 | MA9 |
| 19 | MA10 | RAS1# |
| 20 | DQS | DQS |
| 21 | WE# | WE# |
| 22 | GND | GND |
| 23 | DQб | DQб |
| 24 | NC | PD (GND) |
| 25 | DQ7 | DQ7 |
| 26 | PB-Out | PD (1M-GND)|
| 27 | RAS# RASO# | |
| 28 | CAS-Parity#| NC |
| 29 | PB-In | PB-(In/Out)|
| 30 | +5В | +5В |
+-------+------------+------------+
Сигналы модулей SIMM
+============+-----------------------+
|MAi | Multiplexed Address |
+------------+-----------------------+
|DQx | Data Bit (объединены |
| |выходы и входы. |
+------------+-----------------------+
|PQx | Parity Bit - бит |
| |паритета x-го байта. |
+------------+-----------------------+
|PB-In | Parity Bit Input |
+------------+-----------------------+
|PB-Out | Output - вход и выход |
| |микросхемы бита пари- |
| |тета. Для хранения па- |
| |ритета в этих модулях |
| |всегда используются |
| |микросхемы с однобитной|
| |организацией, у которых|
| |вход и выход разделен. |
| |Обычно эти контакты на |
| |модуле соединены. |
+------------+-----------------------+
|WE# | Write Enable |
+------------+-----------------------+
|RASx# |Стробы выбора строк. |
| |RAS#0 и RAS#1 использу-|
| |ются соответственно для|
| | бит 0-15 и 16-31. |
+------------+-----------------------+
|CASx# |Стробы выборки столб- |
| |цов, отдельные для каж-|
| |дого байта. |
+------------+-----------------------+
|CAS-Parity# |Строб выборки столбцов |
| |для контрольных раз- |
| |рядов. |
+------------+-----------------------+
|OEx# | Output Enable |
+------------+-----------------------+
|PD1-5 | Presence Detect |
| |Индикаторы присутствия |
| |(обычно не используют) |
+------------+-----------------------+
|NC | No Connection |
| |Свободный вывод |
+============+-----------------------+
Постоянная память
DIP-24 DIP-28
+-+---+ +-+---+
A7+1 24+Vcc Vpp/*A15+1 28+Vcc
A6+ +A8 A12+ +PGM#/A14*
A5+ +A9 A7+ +A13
A4+ +A11/Vpp* A6+ +A8
A3+ +OE#/Vpp* A5+ +A9
A2+ +A10 A4+ +A11
A1+ +CE# A3+ +OE#/Vpp*
A0+ +DQ7 A2+ +A10
DQO+ +DQб A1+ +CE#
DQ1+ +DQS A0+ +DQ7
DQ2+ +DQЧ DQO+ +DQб
GND+12 13+DQЗ DQ1+ +DQS
+-----+ DQ2+ +DQЧ
GND+14 15+DQЗ
+-----+
TSOP-32 DIP-32
+-+------+ +-+---+
Vpp+1 32+OE# Vpp+1 32+Vcc
A16+ +A10 A16+ +PGM#
A15+ +CE# A15+ +A17*
A12+ +DQ7 A12+ +A14
A7+ +DQб A7+ +A13
A6+ +DQS A6+ +A8
A5+ +DQЧ A5+ +A9
A4+ +DQЗ A4+ +A11
A3+ +GND A3+ +OE#
A2+ +DQ2 A2+ +A10
A1+ +DQ1 A1+ +CE#
A0+ +DQO A0+ +DQ7
DQO+ +A0 DQO+ +DQб
DQ1+ +A1 DQ1+ +DQS
DQ2+ +A2 DQ2+ +DQЧ
GND+16 17+A3 GND+16 17+DQЗ
+--------+ +-----+
+==============+=======+===============+
|Микросхема и | Корпус| Примечание |
|организация | | |
+==============+=======+===============+
|2716 - 2K*8 |DIP-24 |20=OE#; 21=Vpp |
|2732 - 4K*8 |DIP-24 |20=OE#/Vpp |
| | |21=A11 |
|2764 - 8K*8 |DIP-28 |1=Vpp; 22=OE# |
| | |26=NC; 27=PGM# |
|27128 - 16K*8 |DIP-28 |1=Vpp; 22=OE# |
| | |26=A13; 27=PGM#|
|27256 - 32K*8 |DIP-28 |1=Vpp; 22=OE# |
| | |26=A13; 27=A14 |
|27512 - 64K*8 |DIP-28 |1=Vpp; |
| | |22=OE#/Vpp |
| | |26=A13; 27=A14 |
|27010 - 128K*8|DIP-32 |30=NC |
|27010 - 128K*8|TSOP-32|6=NC |
|27010 - 128K*8|PLCC-32|30=NC |
|27020 - 256K*8|DIP-32 |- |
|27020 - 256K*8|TSOP-32|- |
|27020 - 256K*8|PLCCЗ2 |- |
+--------------+-------+---------------+
+====+---------------------------------+
|CE# |Выборка микросхемы. |
+----+---------------------------------+
|OE# |Разрешение чтения данных из м/сх.|
| | |
|DQx |Двунаправленные линии шины данных|
+----+---------------------------------+
|Ax |Входные линии шины адреса. Линия |
| |A9 допускает подачу высокого |
| |(12 В) напряжения для чтения кода|
| |производителя (A0=0) и устройства|
| |(A0=1), при этом на остальные |
| |адресные линии подается лог."0" |
+----+---------------------------------+
|PGM#|Импульс программирования. |
| |Некоторые микросхемы не имеют |
| |этого сигнала, их программирова- |
| |ние осуществляется по сигналу CE#|
| |при высоком уровне Vpp. |
+----+---------------------------------+
|Vpp |Программирующее напряжение пи- |
| |тания. Для некоторых типов - |
| |импульс |
+----+---------------------------------+
|Vcc |Питание (+5 В) |
+====+---------------------------------+
Other articles:
